所在位置：
首页 >
营销资讯 >
行业动态 > 英特尔3D NAND 固态盘：为高密度和高可靠性而设计
英特尔3D NAND 固态盘：为高密度和高可靠性而设计
时间：2022-04-20 20:48:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-20 20:48:01 来源：行业动态
未来，基于3D NAND 技术的固态盘，将是重点产品和技术发展方向。英特尔NAND产品与解决方案事业部中国区销售总监倪锦峰表示高密度和高可靠性将是未来几年英特尔 3D NAND 固态盘的设计方向。
此外，英特尔技术专家还分享了英特尔3D NAND技术的优势。首先，在技术方面，英特尔是闪存单元技术的领导者，在闪存单元演进和扩展方面拥有逾30年的经验。作为第一家为数据中心和客户端出货 QLC PCIe 固态盘的公司，英特尔是业界第一个推出3D 64层 TLC 固态盘的厂商，并且也是在业内第一个推出64层QLC的厂商。
其次，在降低成本方面，英特尔采用阵列架构下的浮栅 CMOS的创新技术，该技术可将每单元容量提高，使QLC NAND 技术的每单元位数比 TLC NAND 提高 33%，从而实现更高的面密度，进而带来更好的经济效益。
同时，英特尔还基于垂直浮栅单元实现了高可靠性设计， 从64 层 TLC到 144 层 QLC，高度可靠的单元设计使耐久性实现代际提升。在数据保留方面，浮动栅极 NAND 单元优于电荷撷取，浮动栅极 NAND 提供更高的数据保留率。
基于3D NAND 技术，2021 年英特尔还推出数款数据中心产品，其中包括已经发布的144层 TLC的英特尔固态盘 D7-P5510、144层 QLC的英特尔固态盘 D5-P5316，以及即将发售的144层TLC的英特尔固态盘 D3-S4520 和 D3-S4620。
在线咨询
