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盘点英特尔 QLC 3D NAND 固态盘背后的黑科技
时间：2022-04-20 20:48:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-20 20:48:01 来源：行业动态
为进一步解析在诸多方面具备明显性能优势的QLC 3D NAND固态盘，英特尔技术专家对其背后隐藏的黑科技进行了深入解读。
从性能和耐久性俩方面来看，QLC（每个Cell单元存储4b数据）比TLC（每个Cell单元存储3b数据）成本低、容量大，但寿命短。每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但QLC拥有16个电压状态相对于TLC的8个电压状态来说控制更难，导致颗粒稳定性差、寿命低。英特尔垂直浮栅闪存单元，基于成熟的单元技术，强大的电荷损失保护功能，以确保高可靠性，同时浮动栅极 NAND 提供更高的数据保留率。
因此在寿命，也就是耐久性方面，英特尔 QLC 3D NAND 固态盘的耐久性比其它 QLC NAND 固态盘高4倍；同时在性能方面，又保持了和 TLC NAND 固态盘相当的 PCIe 4.0 读取带宽，和几近一致的时延以及服务质量。这样，基于业内领先的耐久性，再结合QLC大容量特征就让英特尔QLC 3D NAND 固态盘具备了满足各种真实使用场景的可靠性、性能等需求。
以英特尔固态盘 D5-P5316为例，U.2 15mm外观的存储容量达到15.36TB ，E1.L外形的存储容量高达 30.72TB。 4K 随机读取高达80万IOPS， 7 GB/s读取优化的高性能实现了对PCIe 4.0 接口的饱和利用，对比前一代 QLC 固态盘时延缩减48 % ，以及4倍以上的耐久性。这些特征能够实现客户能在温存储中进行大规模部署，为每台服务器提高更高的带宽可以加快访问 CDN、超融合基础设施、大数据、人工智能、高性能计算和云存储中的大数据 集，通过把存储占用的空间减少最多 20 倍而降低TCO。
而从质量和成熟度来看，自2017年就开始量产，英特尔QLC 3D NAND固态盘的成熟度已经得到市场认可，目前第三代QLC NAND在很多细分市场越来越普及。而且，它不仅符合所有JEDEC规范，在UBER、实际环境中的AFR和环境条件中优于硬盘，而且具备与TLC相同的ASIC，简化了资质认证。
基于此，笔者认为，至少未来五年，基于英特尔3D NAND的固态盘，将成为企业海量数据存储的重要选择，再随着技术的不断迭代，相信QLC 3D NAND 固态盘的大容量、高性能等特质，结合AI、大数据、5G等技术能够为IT基础设施带来更好的体验，也相信SSD将进一步替代HDD成为企业存储的主流介质。
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