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纳米片（简称NS）预计将在未来全面超越FinFET（简称FF）。
时间：2022-04-22 11:51:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-22 11:51:01 来源：行业动态
少数新兴的晶圆、芯片与晶体管堆栈将提供额外的性能提升空间，进而从根本上挑战传统的SoC。然而，这些技术在设备校准与冷却方面也面临着自己的独特挑战具体来讲，此类设计也许会将发热量提升至500瓦级别。
Imec方面还描述了SoC的全面改造方向，也就是有序3D其将对电源、逻辑以及存储器电路的不同需求进行拆分与优化。其中一个版本将功率传输电路放在晶圆背面，减薄至几百纳米，并利用微小的硅通孔进行连接。
另一个更具野心的版本则利用铜接铜键将SRAM缓存安放在核心上方的载体晶圆上。最终的有序3D结构将呈现出三明治式设计，底部为SRAM阵列，顶部为电源电路，中间则是核心逻辑。其目标在于最大限度提升SRAM尺寸，同时降低制造成本。
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