全闪存（All-flash）存储池
时间：2022-04-15 20:57:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-15 20:57:01 来源：行业动态
针对小延迟或对性能有特殊要求的业务和应用，道熵分布式存储支持全闪存存储池，用户的业务可以在闪存优化存储池与全闪存存储池之间实现数据迁移。
SSD的单位容量成本是HDD的5-10倍之间，且由于其存储介质NAND Flash仅有有限的擦除与重写次数，导致SSD有限的写寿命。为了降低SSD的单位使用成本，并延长其使用寿命，道熵分布式存储在全闪存存储池，采取了基于16KB或32KB数据块的数据去重技术，在提升有效存储使用效率的同时，通过减少重复数据的写入，延长了SSD的写寿命。在数据去重基础上，还采取了对CPU消耗极低的LZ4高速压缩算法，进一步提升存储使用效率和SSD写使用寿命。在典型的虚拟化应用场景中，数据去重和数据压缩可产生的数据压缩比在5：1左右，相当于将存储使用效率和SSD写寿命提升了5倍。
道熵分布式存储采用双重RAID架构，即节点内RAID与节点间副本的双重数据保护；每个节点具有数据完整性校验和数据自修复能力，并采用随机写转换为顺序写、二级DRAM/Flash自适应缓存技术，大幅度降低物理磁盘的工作负载，具有极强的稳定性和数据安全性。其中，随机写转换为顺序写机制，不仅可提升系统IO性能，还可同时降低Flash的写磨损，延长SSD写使用寿命。数据去重、数据压缩、和随机写转换为顺序写机制，使得市场上价格低廉的桌面级SSD具有同企业级SSD相似的性能和写寿命。
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