创新、创新、再创新！
时间：2022-04-06 11:36:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-06 11:36:01 来源：行业动态
在存储技术创新方面， SCM需要提及一下。这个SCM是什么？Storage Class Memory，简称SCM，中文名称是存储级内存，其技术点是是介于DRAM和NVME之间的一个非易失性存储。其特点是存储速度尽量接近内存，但是存储容量尽量接近SSD。目前SCM介质被认为主流来自Intel和Micron的3D XPoint、三星的Z-NAND和Spin Torque MRAM。
3D XPoint能够提供了10倍的NAND闪存性能，和1000倍的耐久性，和三星提出的Z-SSD的读取速度将是标准NAND闪存的7倍。
随着SCM技术的成熟和产品的推出，我们能看到的是华为已经在构建SCM（存储级内存，Storage Class Memory）1.0生态，通过在SCM介质、NVMe和NVMeoF的速度之间的平衡，构建新一代全闪存系统。
在存储核心技术创新方面，国产存储厂商也在进步。包括国产化并且首款商用NVMe SSD主控芯片产品推出，包括从国产CPU到芯片、桥接芯片、BIOS、存储管理软件等基于自主研发的企业级存储阵列推出。
从2017年的各种咨询报告中，我们看到了华为存储已经蝉联Gartner通用存储阵列魔力四象限报告领导者位置了。在中国市场，华为存储营收和出货量也都是NO.1。在技术创新方面，华为全闪存继续在性能、可靠、高效性方面加大技术投资。华为是业界唯一开发SSD芯片、SSD盘片和全闪存系统的厂商，有能力协同盘和系统的能力，可以将全闪存的特性发挥到极致。
浪潮存储也连续3年在高端存储市场销售额增长超过100%。2017年2月，浪潮提出了以智变，迎万变的理念，对统一存储进行全平台升级，以智能为核心，正式推出新一代智能存储G2平台。
在2017年，忆芯科技成功推出了国内首款商用NVMe SSD主控芯片STAR1000，并被业界主流SSD厂商所选用。STAR1000实现顺序读写性能分别高达3GB/s和2GB/s，随机读写性能分别高达350K和300K IOPS ，支持最新NVMe1.2协议（StarNVMe技术）和主流MLC、3D TLC颗粒（StarFLash技术StarLDPC技术）。
2017年11月，宏杉科技宣布了采用了由国防科技大学自主研制的飞腾FT-1500A处理器的MS3000G2-FT企业级存储。该产品具备企业级存储功能特性，可为政府、企业、国防、军工等多个重要行业用户的关键业务提供存储能力的支撑，确保信息安全，规避安全隐患。
在内存创新方面，紫光国芯，2018年或将迎来首款国产DDR4内存。紫光今年在芯片、存储等领域都投入了巨大的精力。在2017年1月，紫光宣布投资2000亿元在南京建设半导体产业基地，主要产品为3D-LAND FLASH、DRAM存储芯片等，建成后将实现月产晶圆10万片。
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