英特尔傲腾和3D NAND的技术创新之路
时间：2022-04-29 17:42:01 | 来源：行业动态
时间：2022-04-29 17:42:01 来源：行业动态
诚如前言，数据规模每三年成长两倍，DRAM大约每四年增长两倍，硬盘平均每五年提升两倍，根本无法与大数据的增长速度保持平衡。这也使得存储金字塔中的DRAM、NAND、HDD存储介质面临巨大挑战，主要表现在容量、时延和带宽三个方面。正如刘钢所说，目前金字塔中，一是DRAM的存储容量没有跟上，二是3D NAND时延没有跟上，三是3D NAND的容量增大但是吞吐量没有增加。基于此，英特尔傲腾技术和QLC NAND技术将持续在这三个层面发力进行创新。
英特尔将于明年在业内率先推出用于数据中心级固态盘的144层QLC（四级单元）NAND，以进一步提升数据响应速度，满足以数据为中心的计算需求。英特尔基于更先进、更可靠的浮栅技术，可以堆叠更多层的3D NAND。浮栅技术工艺更加复杂，但是数据保留更可靠，可以更好地做堆叠，当要实现QLC时，浮栅技术可以让3D NAND更加可靠。
目前在英特尔的大连工厂，已经可以生产96层QLC，明年将生产144层QLC。同时刘钢表示，采用了全新的技术的3D NAND不仅实现了更多的堆叠，同时每个单元可以做到更多的电子水平，密度更高，在同一个堆片上可以做到更高的密度。我们也有信心，可以实现在同一个芯片上面更高的存储密度。如果说64层3D NAND是把原来的2D NAND从平面变成高楼大厦，那即将出现的144层QLC就是摩天大楼。
与此同时，英特尔傲腾技术也会进行创新。目前的傲腾架构中间是基于两层的3D XPoint材料来设计；下层是控制电路，不占存储的面积，保证了芯片的高效率。英特尔同时分享了明年即将推出的全新傲腾产品，能够比今天傲腾产品的性能时延再降低4倍，吞吐量提高3倍。其主要架构设计是把傲腾架构中间的两层的3D XPoint材料升级到4个堆层，这样的优势能够一方面增大容量，一方面实现时延和吞吐量的提升，也进一步提升了3D XPoint与DRAM的竞争优势。
同时针对大容量，英特尔除了在芯片介质上通过144层QLC闪存颗粒提升存储密度，也从整个平台和系统角度出发进行创新。3D NAND芯片出来之后，英特尔通过集成到Ruler这种新的存储形状里去，使每一个Ruler可以做到的存储容量达到32TB，在1U的服务器可以做到1PB的容量，从而通过每个芯片的高容量实现整个系统的高容量。
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