NAND三维NAND闪存芯片
时间:2022-02-21 01:10:02 | 来源:信息时代
时间:2022-02-21 01:10:02 来源:信息时代
2018年4月22日下午,国内自主研发的32层三维NAND闪存芯片在首届数字中国建设成果展览会上亮相。该芯片是国家存储器基地的核心项目。目前,芯片生产机台已于4月11日正式进场安装,有望于年内实现量产。
资料显示,国家存储器基地项目于2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设,总投资额为240亿美元,位于武汉东湖高新区。基地将建设3座三维NANDFlash生产厂房。目前,项目一期已建成,首批32层三维NAND闪存芯片将于年底前实现量产。业内人士分析,该芯片将填补我国主流存储器领域空白。