海力士发展过程

时间：2022-02-14 19:00:01 | 来源：信息时代

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2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级，并争取提升至10纳米级，预计到2016年完成该项技术升级。

2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。

2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月成立中国无锡市后续工程合作社

04月世界最先开发低耗电-高速（LowPower-HighSpeed）Mobile1GbDDR2DRAM

03月世界最先发表8GB2-RankDDR3R-DIMM产品认证

02月世界最先开发44nmDDR3DRAM

01月世界最先获得关于以伺服器4GBECCUDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。

2008年12月世界最先开发2GbMobileDRAM

11月引进业界最高速7Gbps、1GbGDDR5GraphicsDRAM

08月清州第三工厂的300mm组装厂竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm技术的16GB2-RankR-DIMM

为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大

05月与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案

04月为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速MobileLPDDR2

02月引进2-Rank8GBDDR2RDIMM

01月签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同RD程序上进行合作的合同

2008年发表00MHz、1GB/2GBUDIMM产品认证

2007年12月成功发行国际可兑换券（globalconvertiblenotes）

11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对1GbDDR2DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1GbGDDR5DRAM

10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合（韩国）签署关于在环境管理上进行合作的合同

09月以24层叠芯片（stackedchips），世界最先开发NAND闪存MCP

08月开发出业界最高速、最小型1GbMobileDRAM

07月发表企业中长期总体规划

05月业界最先获得关于DDR3DRAM的英特尔产品认证

04月DOCH3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率

03月开发出世界最高速ECCMobileDRAM发表'生态标记（ECOMark）'与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同

与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录（MOU）金钟甲就任新任代表理事、社长

01月开发出以'晶圆级封装（WaferLevelPackage）'技术为基础的超高速存储器模块

2006年创下最高业绩及利润

2006年12月业界最先发表60nm1GbDDR2800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz512MbMobileDRAM

10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体（株）的竣工，构建国际性生产网络

09月300mm研究生产线下线

03月业界最先获得英特尔对80nm512MbDDR2DRAM的产品认证

01月发表与M-Systems公司的DOCH3共同开发计划（闪存驱动器内置的新型DiskOnChip）

2005年12月世界最先开发512MbGDDR4、业界最高速度及最高密度GraphicsDRAM

11月业界最先推出JEDEC标准8GBDDR2R-DIMM

07月提前从企业重组完善协议中抽身而出

04月海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

03月发布2004年财务报表，实现高销售利润

01月与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议

2004年11月与意法半导体公司（STMicroelectronics）签订关于在中国合资建厂的协议

08月与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议

07月获得公司成立以来最大的季度营业利润

06月签订非内存事业营业权转让协议

03月行业首次开发超高速DDRSDRAM550MHz1GDDR2SDRAM获得Intel的认证

02月成功开发NAND闪存

2003年12月宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

08月宣布发表在DRAM行业的第一个1GbDDR2问世。

07月宣布在世界上首次发表DDR500

06月512MDDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证

05月采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256MbSDRAM投入批量生产

04月宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

03月发表世界上第一个商用级的mega-levelFeRAM

2002年11月出售HYDIS，TFT-LCD业务部门

10月开发0.10微米、512MBDDR

08月在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDRSDRAM

06月在世界上首次将256MB的SDRSDRAM运用于高终端客户

03月开发1GDDRDRAM模块

2001年08月开发世界上速度最快的128MBDDRSDRAM

08月完成与现代集团的最终分离

07月剥离CDMA移动通信设备制造业务‘HyundaiSyscomm'

05月剥离通信服务业务'HyundaiCuriTel'

剥离网络业务'HyundaiNetworks'

03月公司更名为'Hynix半导体有限公司'

2000年08月剥离显示屏销售业务'HyundaiImageQuest'

04月剥离电子线路设计业务'HyundaiAutonet'

1999年10月合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

03月出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）

1998年09月开发64M的DDRSDRAM

1997年05月在世界上首次开发1GSDRAM

1996年12月公司股票上市

1989年11月完成FABIII

09月开发4M的DRAM

1988年11月在欧洲当地设立公司（HEE）

01月开发1M的DRAM

1986年06月举行第一次员工文化展览会'AmiCarnical'

04月设立半导体研究院

1985年10月开始批量生产256K的DRAM

1984年09月完成FABII-A

1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志